على ما يبدو أن سامسونج على وشك مواجهة دعوى قضائية لانتهاك براءة الاختراع المتعلقة بتكنولوجيا FinFET الخاصة بشرائح المعالج المستخدمة فى هواتفها الذكية، وهى نفس التكنولوجيا التى كانت سامسونج فخورة بها للغاية خلال الشهريين الماضيين، وهى نفسها المستخدمة فى صناعة معالجات كوالكوم سنابدراجون 835.
ووفقًا لوسائل الإعلام الكورية، فإن المعهد الكورى المتقدم للعلوم والتكنولوجيا "KAIST" الذى يقع مقره فى الولايات المتحدة، يخطط لمقاضاة شركة سامسونج على تقنية FinFET واتهامها بانتهاك براءة الاختراع، حيث إنه هو المطور الحقيقى الذى قام بتطوير تقنية 10nm FinFET التى تستخدمها سامسونج الآن فى شرائح معالجات كوالكوم الراقية، إلا أن هذه التقنية تم سرقتها من قبل الشركة الكورية الجنوبية.
وقد حدثت السرقة عندما دعت شركة سامسونج مطورى تقنية FinFET المطور "لى جونج هو" وهو أستاذ فى جامعة سيول الوطنية، وأحد شركاء المعهد الكورى المتقدم للعلوم والتكنولوجيا"، ليظهر للمهندسين كيف تعمل هذه التكنولوجيا، أما من حيث المؤيدين لـ KAIST، فإن شركة "إنتل" تعترف بأنها المطور الحقيقى لتقنية FinFET وأنها حصلت بالفعل على ترخيص لاستخدامه، ولكن سامسونج ستقوم أيضا بنفس الشيء.
